PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILLKON GERMANIUMRNAMORF TERHIDROGENASI (A:SIGE:H) DENGAN MENGGUNAKAN METODE PECVD | ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION

Electronic Theses and Dissertation

Universitas Syiah Kuala

    SKRIPSI

PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILLKON GERMANIUMRNAMORF TERHIDROGENASI (A:SIGE:H) DENGAN MENGGUNAKAN METODE PECVD


Pengarang

Wanti Meirivana - Personal Name;

Dosen Pembimbing



Nomor Pokok Mahasiswa

0081210353

Fakultas & Prodi

Fakultas MIPA / Fisika (S1) / PDDIKTI : 45201

Subject
-
Kata Kunci
-
Penerbit

Banda Aceh : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam., 2005

Bahasa

No Classification

-

Literature Searching Service

Hard copy atau foto copy dari buku ini dapat diberikan dengan syarat ketentuan berlaku, jika berminat, silahkan hubungi via telegram (Chat Services LSS)

Penelitian ini mengkaji pengaruh temperatur substrat terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a- SiGe:H) yang ditumbuhkan dengan metoda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas coming 7059 pada temperatur yang divariasikan dari ISOT sampai 2S0•C dengan daya 30 watt, tekanan chamber 500 mTorr serta laju aliran gas SiH4 dan GeH4 masing-masing 70 dan I seem. Tujuan dari penelitian ini untuk meLihat pengaruh temperarur substrat terhadap karakterisasi lapisan tipis a-SiGe:H yang meliputi ketebalan, celah pita optik dan konduktivitas. Dari hasil optimasi temperatur substrat terhadap lapisan tipis a-SiGe:H, diperoleh temperatur optimum yaitu 200T dengan lebar celah pita 1,39 eV, konduktivitas gelap 1.74 x 10-9 S/cm dan konduktivitas terang 1.36 x 10•s S/cm dan ketebalan 3404 A.




Tidak Tersedia Deskripsi

Citation



    SERVICES DESK