PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERLSTIK LAPISAN TIPIS A-SIGE:H DENGAN METODE PECVD | ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION

Electronic Theses and Dissertation

Universitas Syiah Kuala

    SKRIPSI

PENGARUH DAYA RF TERHADAP KARAKTERLSTIK LAPISAN TIPIS A-SIGE:H DENGAN METODE PECVD


Pengarang

Nonong Mailufar - Personal Name;

Dosen Pembimbing



Nomor Pokok Mahasiswa

0081212689

Fakultas & Prodi

Fakultas MIPA / Fisika (S1) / PDDIKTI : 45201

Subject
-
Kata Kunci
-
Penerbit

Banda Aceh : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam., 2005

Bahasa

No Classification

-

Literature Searching Service

Hard copy atau foto copy dari buku ini dapat diberikan dengan syarat ketentuan berlaku, jika berminat, silahkan hubungi via telegram (Chat Services LSS)

Telah dilakukan penelitian pengaruh daya rf (laju deposisi) terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a-SiGe.H) yang ditumbuhkan dengan metode Plasma Enhanched Chemical Vapor Deposition (PECVD). Lapisan tipis a-SiGe:II ditumbuhkan diatas gelas coming #7059 pada daya yang divariasikan dari 30 watt samapai 70 watt pada temperatur 200°C, tekanan 500 m torr serta laju aliran gas SiH4 dan GeH4 masing-masing 70 dan I seem. Tujuan dari peneLitian ini untuk melihat pengaruh daya rf terhadap karakterisasi lapisan tipis a-SiGe:H yang meliputi ketebalan, celah pita optik, dan konduktivitas. Dari hasil optimasi daya rf terhadap lapisan tipis a-SiGe:lI, diperoleh daya optimum pada 50 Watt dengan celah pita optikl.48 eV dan nilai fotosensitivitas 5.62 x+05 Lapisan tipis a-SiGe:H dengan lebar celah pita optik 1.48 eV dan fotosensitivitas 5.62 x+05 dengan metode PECVD
dapat diaplikasikan untuk sel surya.




Tidak Tersedia Deskripsi

Citation



    SERVICES DESK