<?xml version="1.0" encoding="UTF-8" ?>
<modsCollection xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns="http://www.loc.gov/mods/v3" xmlns:slims="http://slims.web.id" xsi:schemaLocation="http://www.loc.gov/mods/v3 http://www.loc.gov/standards/mods/v3/mods-3-3.xsd">
<mods version="3.3" id="97153">
 <titleInfo>
  <title>PENGARUH  KONSENTRASI DOPING  AL TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPIS  ZNO:</title>
  <subTitle>AI</subTitle>
 </titleInfo>
 <name type="Personal Name" authority="">
  <namePart>Vivitalia</namePart>
  <role>
   <roleTerm type="text">Primary Author</roleTerm>
  </role>
 </name>
 <typeOfResource manuscript="no" collection="yes">mixed material</typeOfResource>
 <genre authority="marcgt">bibliography</genre>
 <originInfo>
  <place>
   <placeTerm type="text">Banda Aceh</placeTerm>
   <publisher>Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam</publisher>
   <dateIssued>2011</dateIssued>
  </place>
 </originInfo>
 <language>
  <languageTerm type="code">id</languageTerm>
  <languageTerm type="text">Indonesia</languageTerm>
 </language>
 <physicalDescription>
  <form authority="gmd">Skripsi</form>
  <extent></extent>
 </physicalDescription>
 <note>Karakteristik lapisan  tipis  Seng  Oksida  doping  Aluminium   (Zn0:Al)  yang d.itumbuhkan   dengan   metode   spin  coating  telah   d.iteliti.   Larutan ZnO:Al   dibuat&#13;
dengan   melarutkan serbuk  ZnO  dan  serbuk   Al,O,   dalam  pelarut  etanol  dan  HCI.&#13;
Lapisan  ZnO:AJ ditumbuhkan dengan  cara meneteskan larutan ZnO:AJ diatas substrat berupa kaca preparat  (1,5  x 2)cm   yang ditempatkan diatas spiner dan diputar  selama&#13;
5 menit.  Konsentrasi   Al divariasilcan  dari 0%  - 2%,  kecepatan  putaran  spiner 3300&#13;
rpm.   Lapisan   yang   terbentuk    selanjutnya  dianealing  pada   temperatur  700   °C. Lapisan tipis ZnO:Al yang terbentuk  dikarakterisasi menggunakan Spektroskopi Ultraviolet Visible (UV-Vis), dan Atomic Force Microscope  (AFM). Hasil  penelitian menunjukkan bahwa  lapisan  ZnO:Al  yang  ditumbuhkan memiliki  nilai  transmitansi optik  yang cukup  tinggi  pada  konsentrasi   Al,O,   0,5%,  sebesar  80%  pada  panjang&#13;
gelombang 388 nm. Celah  pita  optik  yang  tertinggi  diperoleh  sebesar  3,69  eV  pada konsentrasi  Al,0,  2%.   Analisa  morfologi dan  tekstur  permukaan  lapisan ZnO:Al menunjukkan bahwa  lapisan  yang  berkonsentrasi  Al,0,  0,5%   memiliki  tekstur  dan&#13;
tingkat  kerataan  permukaan yang paling  baik, dengan  nilai kekasaran  permukaan rata•&#13;
rata 0,I  um.&#13;
&#13;
Kata  kunci  :    Lapisan   tipis  ZnO:Al,   Spin  coating,  transmitansi   optik,   Morfologi permukaan, Celah pita optik.&#13;
&#13;
&#13;
 Larutan ZnO:Al   dibuat&#13;
dengan   melarutkan serbuk  ZnO  dan  serbuk   Al,O,   dalam  pelarut  etanol  dan  HCI.&#13;
Lapisan  ZnO:AJ ditumbuhkan dengan  cara meneteskan larutan ZnO:AJ diatas substrat berupa kaca preparat  (1,5  x 2)cm   yang ditempatkan diatas spiner dan diputar  selama&#13;
5 menit.  Konsentrasi   Al divariasilcan  dari 0%  - 2%,  kecepatan  putaran  spiner 3300&#13;
rpm.   Lapisan   yang   terbentuk    selanjutnya  dianealing  pada   temperatur  700   °C. Lapisan tipis ZnO:Al yang terbentuk  dikarakterisasi menggunakan Spektroskopi Ultraviolet Visible (UV-Vis), dan Atomic Force Microscope  (AFM). Hasil  penelitian menunjukkan bahwa  lapisan  ZnO:Al  yang  ditumbuhkan memiliki  nilai  transmitansi optik  yang cukup  tinggi  pada  konsentrasi   Al,O,   0,5%,  sebesar  80%  pada  panjang&#13;
gelombang 388 nm. Celah  pita  optik  yang  tertinggi  diperoleh  sebesar  3,69  eV  pada konsentrasi  Al,0,  2%.   Analisa  morfologi dan  tekstur  permukaan  lapisan ZnO:Al menunjukkan bahwa  lapisan  yang  berkonsentrasi  Al,0,  0,5%   memiliki  tekstur  dan&#13;
tingkat  kerataan  permukaan yang paling  baik, dengan  nilai kekasaran  permukaan rata•&#13;
rata 0,I  um.&#13;
&#13;
Kata  kunci  :    Lapisan   tipis  ZnO:Al,   Spin  coating,  transmitansi   optik,   Morfologi permukaan, Celah pita optik.&#13;
&#13;
&#13;
</note>
 <note type="statement of responsibility"></note>
 <subject authority="">
  <topic>SEMICONDUCTORS - PHYSICS</topic>
 </subject>
 <classification>537.622</classification>
 <identifier type="isbn"></identifier>
 <location>
  <physicalLocation>ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION Universitas Syiah Kuala</physicalLocation>
  <shelfLocator></shelfLocator>
 </location>
 <slims:digitals/>
</mods>
<recordInfo>
 <recordIdentifier>97153</recordIdentifier>
 <recordCreationDate encoding="w3cdtf">2022-01-11 11:30:56</recordCreationDate>
 <recordChangeDate encoding="w3cdtf">2022-01-28 10:23:00</recordChangeDate>
 <recordOrigin>machine generated</recordOrigin>
</recordInfo>
</modsCollection>