PENGARUH LAJU ALIRAN GAS SIH4/GEH4 TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPISRN(A-SIGE:H) DENGAN METODE PECVD | ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION

Electronic Theses and Dissertation

Universitas Syiah Kuala

    SKRIPSI

PENGARUH LAJU ALIRAN GAS SIH4/GEH4 TERHADAP KARAKTERISTIK LAPISAN TIPISRN(A-SIGE:H) DENGAN METODE PECVD


Pengarang

Azmi - Personal Name;

Dosen Pembimbing



Nomor Pokok Mahasiswa

0081212694

Fakultas & Prodi

Fakultas MIPA / Fisika (S1) / PDDIKTI : 45201

Subject
-
Kata Kunci
-
Penerbit

Banda Aceh : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam., 2005

Bahasa

No Classification

-

Literature Searching Service

Hard copy atau foto copy dari buku ini dapat diberikan dengan syarat ketentuan berlaku, jika berminat, silahkan hubungi via telegram (Chat Services LSS)

Telah ditumbuhkan lapisan tipis silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H) dengan sistem Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 13.56 Mhz Sebagai sumber gas digunakan gas silan (SiH4) dan gas germane (GeH4) yang terlarut 10% dalam hidrogen (H2) Laju aliran gas germane (GeH4) divariasikan dari 1-35 sccm, sedangkan laju aliran silan (SiH4) 70 sccm. Daya rf diatur pada 40 watt, tekanan 600 m Torr, dan temperatur substraat 275 C. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa Laju deposisi meningkat dari 3,1 A/s - 3,89A/s dengan meningkatnya laju aliran gas Gell, Lebar celah pita optik menurunt seiring dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 Fotosensitivitas menurun dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4, laju aliran gas GeH4 optimum untuk penumbuhan lapisan tipis a-SiGe:H adalah Laju aliran gas GeH4, pada 1,0 sccm yang menghasilkan lebar celah pita optik 1,21 eV, dan
fotosensitivitas 2.92 10 1 A/s

Kata kunci sel surya. PECVD, a-SiGe: H




Tidak Tersedia Deskripsi

Citation



    SERVICES DESK