H) DENGAN METODE PECVD Azmi Primary Author mixed material bibliography Banda Aceh Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam 2005

Skripsi

Telah ditumbuhkan lapisan tipis silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H) dengan sistem Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 13.56 Mhz Sebagai sumber gas digunakan gas silan (SiH4) dan gas germane (GeH4) yang terlarut 10% dalam hidrogen (H2) Laju aliran gas germane (GeH4) divariasikan dari 1-35 sccm, sedangkan laju aliran silan (SiH4) 70 sccm. Daya rf diatur pada 40 watt, tekanan 600 m Torr, dan temperatur substraat 275 C. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa Laju deposisi meningkat dari 3,1 A/s - 3,89A/s dengan meningkatnya laju aliran gas Gell, Lebar celah pita optik menurunt seiring dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 Fotosensitivitas menurun dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4, laju aliran gas GeH4 optimum untuk penumbuhan lapisan tipis a-SiGe:H adalah Laju aliran gas GeH4, pada 1,0 sccm yang menghasilkan lebar celah pita optik 1,21 eV, dan fotosensitivitas 2.92 10 1 A/s Kata kunci sel surya. PECVD, a-SiGe: H 0 ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION Universitas Syiah Kuala 118771 2023-12-27 10:40:29 2023-12-27 10:40:29 machine generated