SIGE:H) DENGAN MENGGUNAKAN METODE PECVD Wanti Meirivana Primary Author mixed material bibliography Banda Aceh Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam 2005

Skripsi

Penelitian ini mengkaji pengaruh temperatur substrat terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a- SiGe:H) yang ditumbuhkan dengan metoda Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas coming 7059 pada temperatur yang divariasikan dari ISOT sampai 2S0•C dengan daya 30 watt, tekanan chamber 500 mTorr serta laju aliran gas SiH4 dan GeH4 masing-masing 70 dan I seem. Tujuan dari penelitian ini untuk meLihat pengaruh temperarur substrat terhadap karakterisasi lapisan tipis a-SiGe:H yang meliputi ketebalan, celah pita optik dan konduktivitas. Dari hasil optimasi temperatur substrat terhadap lapisan tipis a-SiGe:H, diperoleh temperatur optimum yaitu 200T dengan lebar celah pita 1,39 eV, konduktivitas gelap 1.74 x 10-9 S/cm dan konduktivitas terang 1.36 x 10•s S/cm dan ketebalan 3404 A. 0 ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION Universitas Syiah Kuala 100428 2022-06-13 15:01:09 2022-06-13 15:01:09 machine generated