H DENGAN METODE PECVD Nonong Mailufar Primary Author mixed material bibliography Banda Aceh Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam 2005

Skripsi

Telah dilakukan penelitian pengaruh daya rf (laju deposisi) terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a-SiGe.H) yang ditumbuhkan dengan metode Plasma Enhanched Chemical Vapor Deposition (PECVD). Lapisan tipis a-SiGe:II ditumbuhkan diatas gelas coming #7059 pada daya yang divariasikan dari 30 watt samapai 70 watt pada temperatur 200°C, tekanan 500 m torr serta laju aliran gas SiH4 dan GeH4 masing-masing 70 dan I seem. Tujuan dari peneLitian ini untuk melihat pengaruh daya rf terhadap karakterisasi lapisan tipis a-SiGe:H yang meliputi ketebalan, celah pita optik, dan konduktivitas. Dari hasil optimasi daya rf terhadap lapisan tipis a-SiGe:lI, diperoleh daya optimum pada 50 Watt dengan celah pita optikl.48 eV dan nilai fotosensitivitas 5.62 x+05 Lapisan tipis a-SiGe:H dengan lebar celah pita optik 1.48 eV dan fotosensitivitas 5.62 x+05 dengan metode PECVD dapat diaplikasikan untuk sel surya. 0 ELECTRONIC THESES AND DISSERTATION Universitas Syiah Kuala 100427 2022-06-13 14:48:50 2022-06-13 14:48:50 machine generated