Electronic Theses and Dissertation

Penelitian ini mengkaji pengaruh temperatur substrat terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a- sige:h) yang ditumbuhkan dengan metoda plasma enhanced chemical vapor deposition (pecvd). lapisan tipis a-sige:h ditumbuhkan di atas gelas coming 7059 pada temperatur yang divariasikan dari isot sampai 2s0•c dengan daya 30 watt, tekanan chamber 500 mtorr serta laju aliran gas sih4 dan geh4 masing-masing 70 dan i seem. tujuan dari penelitian ini untuk melihat pengaruh temperarur substrat terhadap karakterisasi lapisan tipis a-sige:h yang meliputi ketebalan, celah pita optik dan konduktivitas. dari hasil optimasi temperatur substrat terhadap lapisan tipis a-sige:h, diperoleh temperatur optimum yaitu 200t dengan lebar celah pita 1,39 ev, konduktivitas gelap 1.74 x 10-9 s/cm dan konduktivitas terang 1.36 x 10•s s/cm dan ketebalan 3404 a.