Electronic Theses and Dissertation

Telah dilakukan penelitian pengaruh daya rf (laju deposisi) terhadap karakteristik lapisan tipis silikon germanium amorf terhidrogenasi (a-sige.h) yang ditumbuhkan dengan metode plasma enhanched chemical vapor deposition (pecvd). lapisan tipis a-sige:ii ditumbuhkan diatas gelas coming #7059 pada daya yang divariasikan dari 30 watt samapai 70 watt pada temperatur 200°c, tekanan 500 m torr serta laju aliran gas sih4 dan geh4 masing-masing 70 dan i seem. tujuan dari penelitian ini untuk melihat pengaruh daya rf terhadap karakterisasi lapisan tipis a-sige:h yang meliputi ketebalan, celah pita optik, dan konduktivitas. dari hasil optimasi daya rf terhadap lapisan tipis a-sige:li, diperoleh daya optimum pada 50 watt dengan celah pita optikl.48 ev dan nilai fotosensitivitas 5.62 x+05 lapisan tipis a-sige:h dengan lebar celah pita optik 1.48 ev dan fotosensitivitas 5.62 x+05 dengan metode pecvd dapat diaplikasikan untuk sel surya.